STS8DNF3LL

STS8DNF3LL是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，集成了两个独立的逻辑电平门控MOSFET，为设计工程师提供了高集成度的功率开关解决方案。其核心架构旨在实现低导通损耗与快速开关特性的平衡，通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，显著降低了器件的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），从而提升了整体能效。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其漏源击穿电压（V_DSS）为30V，在25°C环境温度下可支持高达8A的连续漏极电流。尤为关键的是，在4A电流、10V栅源电压条件下，其导通电阻典型值低至20毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值仅为1V（测试条件为250A漏极电流），确保了其能够与3.3V或5V的现代微控制器及逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。此外，其栅极总电荷（Q_{g）在5V驱动下最大值仅为17nC，结合800pF（在25V VDS下）的输入电容（Ciss），共同保证了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关应用（如DC-DC转换器）中降低开关损耗。}

在接口与参数方面，STS8DNF3LL采用行业标准的8引脚SOIC封装，便于PCB布局和自动化贴装。其最大功耗为1.6W，结温（T_J）最高可工作至150°C，提供了宽泛的热设计裕量。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率开关单元。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该器件及相关设计资源。

基于上述特性，STS8DNF3LL非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场合。其主要应用场景包括但不限于：服务器、台式机及笔记本电脑中的同步整流和负载点（POL）DC-DC降压转换器；电池供电设备（如电动工具、无人机）中的电机驱动与电源管理模块；以及各类消费电子和工业控制设备中的高侧/低侧开关、OR-ing功能电路和负载开关。其双通道集成设计尤其适用于需要两个紧密匹配的开关管或构建半桥拓扑的紧凑型电源方案。

• 型号:STS8DNF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 想获取STS8DNF3LL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STS8DNF3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的双N沟道逻辑电平功率MOSFET，集成于8-SOIC封装中。该器件核心优势在于其低导通电阻与低栅极电荷的出色结合，在10V V_GS、4A条件下R_DS(on)典型值仅为20mΩ，同时Qg最大值低至17nC @ 5V，这使其在同步整流和开关电源应用中能同时实现高效率与高频率运行。

其30V的漏源电压和8A的连续电流能力，配合仅1V的最大栅极阈值电压，使其能够直接由低压微处理器驱动，广泛适用于空间受限的DC-DC转换器、电机控制及负载开关电路。器件结温最高可达150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。