STS9NF3LL

STS9NF3LL是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，在硅片层面优化了单元密度与导通电阻的平衡，其核心架构旨在实现低栅极电荷与低导通电阻的优异组合，从而在开关应用中显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为19毫欧，确保了在高达9A的连续漏极电流下仍能维持较低的功率耗散。同时，其栅极总电荷（Qg）在5V条件下最大值为17nC，较低的栅极电荷需求意味着驱动电路的设计可以更为简化，并能实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。器件支持高达±16V的栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，STS9NF3LL采用标准的8引脚SO封装，便于表面贴装（SMT）生产。其额定漏源电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。最大结温（Tj）可达150°C，结合2.5W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在一定的热环境下稳定工作。输入电容（Ciss）在25V条件下最大为800pF，与低栅极电荷特性共同决定了其快速的开关响应。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取关于该器件的详细技术资料与库存信息。

凭借30V的耐压、9A的电流处理能力以及优异的开关性能，这款MOSFET非常适合用于对效率和空间有要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、负载开关以及电池保护电路等场景。例如，在同步整流拓扑中，其低Rds(on)特性可有效减少导通压降；在电机H桥驱动中，快速的开关特性有助于实现精确的PWM控制。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类应用中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STS9NF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS9NF3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用表面贴装型8-SO封装，核心设计旨在为低压、大电流开关应用提供高效的功率处理方案。

其关键电气参数定义了出色的性能表现：30V的漏源电压（Vdss）与9A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在主流低压系统中的可靠运行。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为19毫欧，配合最大17nC的低栅极电荷（Qg），共同实现了低导通损耗与快速开关特性的理想平衡，有效提升了电源转换与电机驱动等应用的效率。