STS9NH3LL

STS9NH3LL是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型8-SO封装，专为在紧凑空间内实现高效率功率切换而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过精密的沟槽工艺显著降低了通态损耗，从而提升了整体能效。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（V_DSS）和在壳温（T_C）条件下高达9A的连续漏极电流能力，确保了在中等电压应用中的可靠运行。其导通电阻特性尤为突出，在10V栅源驱动电压（V_GS）及4.5A漏极电流条件下，最大值仅为22毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，并与低至10nC（@4.5V）的栅极总电荷（Q_g）相结合，使得器件能够被快速驱动，显著降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。

在接口与参数方面，STS9NH3LL支持最大±16V的栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度。其输入电容（C_iss）在25V漏源电压下最大值为857pF，较低的电容值有助于进一步优化驱动电路的设计。器件的最大功率耗散为2.5W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。

得益于其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类便携式设备的电源管理模块。其表面贴装形式便于自动化生产，有助于终端产品实现小型化和高可靠性。

• 型号:STS9NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS9NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的导通特性与开关性能平衡，提供30V的漏源电压（V_DSS）和9A（T_C）的连续漏极电流能力。

其关键参数包括在10V V_GS下仅22毫欧的最大导通电阻，以及低至10nC的栅极电荷（Q_g），这共同确保了低导通损耗和高频开关下的高效率。器件支持±16V的栅源电压，工作结温范围为-55°C至150°C，适用于要求紧凑设计和高可靠性的功率管理解决方案。