STSR2PMCD-TR

STSR2PMCD-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款双通道低端栅极驱动器IC，采用紧凑的8引脚SOIC封装，专为高效驱动N沟道功率MOSFET而设计。该器件集成了两个独立的驱动通道，采用同步驱动配置，能够为每个通道提供强大的峰值输出电流能力，其拉电流（Source）为2A，灌电流（Sink）高达3.5A，确保了在开关过程中对MOSFET栅极电容的快速充放电，从而有效降低开关损耗并提升系统效率。

该驱动器的核心架构围绕稳健的驱动能力和精准的时序控制构建。其工作电压范围设计为4.5V至5.5V，与常见的逻辑电平及微控制器接口完美兼容。输入信号采用非反相设计，简化了系统控制逻辑。在开关性能方面，其典型的上升时间和下降时间分别仅为40ns和30ns，这使得它非常适用于高频开关应用，能够显著减小死区时间并优化功率转换拓扑的性能。其工作结温范围宽达-40°C至125°C，确保了在严苛工业环境下的可靠运行。

在接口与参数层面，STSR2PMCD-TR作为表面贴装器件，便于自动化生产。其强大的驱动能力直接转化为对MOSFET栅极电荷（Qg）的高效管理，允许驱动更大电流等级的功率开关管。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能在过往的电源方案中得到了充分验证。对于仍有需求的客户，可以通过正规的ST中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。

该芯片典型的应用场景包括开关电源（SMPS）的次级侧同步整流、DC-DC转换器的低侧开关驱动、电机控制中的低端驱动以及各类需要高效、快速开关N-MOSFET的场合。其双通道设计为半桥或双开关拓扑提供了紧凑的解决方案，有助于减少PCB面积并简化布局。

• 型号:STSR2PMCD-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:低端
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，3.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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STSR2PMCD-TR是ST意法半导体生产的一款双通道、低端配置的栅极驱动器集成电路，封装形式为8-SOIC。该器件专为驱动N沟道MOSFET优化，其核心特性在于强大的驱动能力，可提供2A拉电流和3.5A灌电流的峰值输出，确保功率开关管的快速导通与关断。

该驱动器工作于4.5V至5.5V单电源电压，兼容标准逻辑电平，并具备非反相输入接口。其开关速度优异，典型上升/下降时间分别为40ns和30ns，适用于高频开关电源设计。器件工作温度范围覆盖-40°C至125°C，满足工业级应用的环境要求。