STSR3CD-TR

STSR3CD-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款单通道低边栅极驱动器集成电路，采用紧凑的8引脚SOIC封装，专为高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET而设计。其核心架构围绕一个优化的驱动级构建，集成了电平转换和欠压锁定（UVLO）保护电路，确保在4V至5.5V的宽泛供电电压范围内稳定工作。该设计有效隔离了控制逻辑与功率级，为微控制器或数字信号处理器提供了一个简洁、强健的接口，以控制开关电源、电机驱动等应用中的功率开关管。

该器件的功能特点突出表现在其强大的驱动能力和快速的开关性能上。它具备非反相输入逻辑，简化了系统控制时序。峰值输出电流能力达到拉电流3.5A和灌电流2A，能够快速对MOSFET的栅极电容进行充放电，从而显著降低开关损耗。其典型的上升和下降时间分别为40ns和30ns，这有助于实现高频率开关操作，提升整体电源转换效率。内置的欠压锁定功能在供电电压不足时强制输出低电平，防止功率管在非最佳条件下导通，增强了系统的可靠性。工作结温范围覆盖-40°C至125°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要获取此型号样片或技术支持的工程师，可以通过授权的ST代理商进行咨询。

在接口与关键参数方面，STSR3CD-TR采用表面贴装型封装，便于自动化生产。其单通道低端驱动配置直接面向接地参考的N沟道MOSFET，输入引脚兼容CMOS/TTL电平，简化了与主流控制器的连接。虽然该器件目前已处于停产状态，但其在既有设计中的表现依然值得参考。其快速的开关特性和强大的驱动电流，使其参数特别适用于对开关速度和驱动强度有明确要求的场合。

基于上述特性，STSR3CD-TR典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧同步整流、DC-DC转换器的低边开关驱动、无刷直流（BLDC）电机驱动器的低边相位控制，以及各类需要高效开关控制的继电器或电磁阀驱动电路。在这些应用中，它能够确保功率MOSFET的快速、可靠开关，是提升功率密度和系统效率的关键组件之一。

• 型号:STSR3CD-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:低端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4V ~ 5.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，3.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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STSR3CD-TR是ST意法半导体生产的一款单通道低边栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装，适用于表面贴装工艺。该器件设计用于驱动N沟道MOSFET，其核心优势在于提供高达3.5A（拉）和2A（灌）的峰值输出电流，结合40ns和30ns的典型上升/下降时间，可实现功率开关管的高速、高效切换。

该驱动器工作电压范围为4V至5.5V，并具备非反相输入逻辑，便于与控制器接口。其宽泛的工作温度范围（-40°C至125°C）确保了在工业环境下的稳定性和可靠性。这些参数使其成为开关电源、电机控制等应用中优化开关损耗和提升系统响应速度的理想选择。