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STTA1512PIRG

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 1200V 15A DOP3I
原厂封装:封装:DOP3I
优势价格,STTA1512PIRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTA1512PIRG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTA1512PIRG是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能通用整流二极管,隶属于其标志性的TURBOSWITCH产品系列。该器件采用标准二极管架构,但其核心优势在于优化了PN结设计与封装工艺,实现了高电压与大电流处理能力与快速开关特性的出色平衡。其内部结构旨在最大限度地减少寄生参数,为要求严苛的功率转换应用提供了一个高效可靠的解决方案。

该二极管的核心特性突出表现在其电气性能上。它具备高达1200V的最大直流反向电压(Vr)和15A的平均整流电流(Io),使其能够胜任高压大功率场景。其正向压降(Vf)在15A的额定电流下仅为2.1V,这有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。更为关键的是,它属于快速恢复二极管,反向恢复时间(trr)典型值为105ns,且满足快速恢复时间≤500ns(Io > 200mA)的规格,这能显著降低开关电源、逆变器等电路在换流过程中产生的开关损耗和电磁干扰(EMI)。在1200V的反向电压下,其反向泄漏电流被控制在极低的100A水平,体现了出色的阻断能力和高温下的稳定性。

在物理实现上,STTA1512PIRG采用通孔安装方式,封装为DOP3I-2绝缘型(直引线)。这种封装不仅提供了良好的机械强度和散热特性,其绝缘设计也增强了在紧凑或需要电气隔离的PCB布局中的适用性与安全性,对应的供应商器件封装为DOP3I。对于需要此类高性能分立元件的设计项目,工程师可以通过授权的ST代理商获取详细的技术资料、样品支持与供应链服务。

基于其高耐压、大电流和快速恢复的特性组合,STTA1512PIRG非常适用于工业级开关模式电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)电路、UPS(不间断电源)系统、电机驱动变频器以及电焊机等设备的整流和续流环节。它能够有效处理高频开关动作,提升功率密度和转换效率。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护或特定设计的备料中,它依然是一个值得参考的高性能器件选型。

  • 型号:STTA1512PIRG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DOP3I
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 1200V 15A DOP3I
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.1 V @ 15 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):105 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 1200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DOP3I-2 绝缘(直引线)
  • 供应商器件封装:DOP3I
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 想获取STTA1512PIRG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTA1512PIRG是ST意法半导体TURBOSWITCH系列中的一款通用整流二极管。该器件设计用于处理高达1200V的反向电压和15A的平均整流电流,其关键优势在于将高功率处理能力与快速开关性能相结合。

其快速恢复特性(trr典型值105ns)能有效降低高频开关应用中的损耗和噪声。同时,在15A电流下仅2.1V的低正向压降有助于提高能效,而1200V下100A的低反向泄漏电流则确保了良好的阻断性能。该器件采用通孔式DOP3I绝缘封装,适用于要求高可靠性和电气隔离的功率电路设计。

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