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STTH12R06G-TR

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 600V 12A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,STTH12R06G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH12R06G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH12R06G-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能通用整流二极管,采用先进的快速恢复技术平台构建。该器件基于优化的平面结构设计,实现了反向恢复电荷(Qrr)与正向导通压降(Vf)之间的出色平衡,其核心在于通过精确的载流子寿命控制工艺,显著降低了开关过程中的电荷存储效应,从而在维持高阻断电压能力的同时,提升了开关速度与效率。

该二极管具备600V的高反向重复峰值电压(VRRM)12A的平均正向整流电流(IF(AV))能力,为其在高功率场景下的稳定运行提供了坚实基础。其关键特性在于极快的开关性能,反向恢复时间(trr)典型值仅为45ns,属于快速恢复类型,这能有效抑制高频开关应用中的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗。在12A的额定电流下,其正向压降(Vf)典型值为2.9V,表现出良好的导通特性。此外,在最高600V反向电压下,其反向漏电流(IR)典型值低至45A,确保了器件在关断状态下具有优异的阻断能力和低功耗表现。其表面贴装型D2PAK(TO-263-3)封装提供了出色的功率耗散能力和机械强度,便于自动化生产并增强在恶劣环境下的可靠性。

在接口与参数方面,该器件为两引脚(阳极、阴极)加散热片接片的标准配置,散热片通常与阴极内部连接,这要求在设计PCB布局时充分考虑电气隔离与散热路径。其电气参数,如快速恢复特性、低正向压降和高电压额定值,使其特别适用于对效率和开关频率有较高要求的场合。用户可通过官方渠道或授权的ST代理获取完整的数据手册、SPICE模型以及应用指南,以进行精确的电路仿真和热设计。

得益于其高电压、大电流和快速恢复的综合性能,STTH12R06G-TR非常适合应用于各类开关模式电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)电路、逆变器、电机驱动以及不间断电源(UPS)系统中的输出整流或续流环节。在这些应用中,它能够有效减少电磁干扰(EMI),提升系统整体能效和功率密度,是工业控制、能源转换和消费类电源产品中提升性能的可靠选择。

  • 型号:STTH12R06G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 600V 12A D2PAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):12A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.9 V @ 12 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):45 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:45 A @ 600 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH12R06G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH12R06G-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装、快速恢复整流二极管。该器件核心优势在于其600V的高反向电压12A的平均整流电流能力,结合了强大的功率处理性能。

其技术亮点在于优化的开关特性,典型反向恢复时间仅为45ns,属于快速恢复类型,能显著降低高频开关应用中的开关损耗。在12A额定电流下,正向压降为2.9V,实现了导通损耗与开关性能的良好平衡。采用D2PAK封装,确保了出色的散热能力与机械可靠性。

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