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STTH1L06

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 600V 1A DO41
原厂封装:封装:DO-41
优势价格,STTH1L06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH1L06的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH1L06是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款通用型快速恢复整流二极管,采用经典的轴向DO-41封装。该器件基于优化的半导体工艺结构,其核心在于实现了高反向电压与快速开关特性的良好平衡。其PN结经过特殊设计,在保证高耐压的同时,有效控制了结电容并优化了载流子复合过程,从而达成了快速反向恢复的特性。这种架构使其在需要处理高频或开关型电压的电路中,能够有效减少开关损耗并抑制电压尖峰,提升整体系统的效率和可靠性。

该二极管的功能特性突出体现在其关键电气参数上。它具备高达600V的最大直流反向电压(Vr),为市电整流及离线式开关电源等应用提供了充足的电压裕量。其平均整流电流(Io)为1A,在1A正向电流下的典型正向压降(Vf)仅为1.3V,这有助于降低导通状态下的功率损耗。尤为重要的是其开关速度,它属于快速恢复二极管,反向恢复时间(trr)典型值仅为80纳秒,这一特性使其远优于普通整流管,能胜任频率更高的开关操作。此外,在最高600V反向电压下,其反向漏电流(Ir)典型值低至1微安,展现了优异的阻断能力。

在接口与物理特性方面,STTH1L06采用通孔安装形式的DO-41(DO-204AL)轴向玻璃封装。这种封装形式成熟可靠,具有良好的散热性和机械强度,便于在传统PCB板上进行手工或波峰焊接。其参数组合高耐压、适中电流、低正向压降与快速的恢复时间定义了一个非常实用的性能区间。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过正规的ST芯片代理渠道进行采购,以确保产品的原装正品和供货稳定。

基于上述技术特点,该器件适用于多种需要高效整流的场合。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的次级整流、续流二极管,以及功率因数校正(PFC)电路。它也常见于电子镇流器、逆变器、电机驱动电路的缓冲或钳位电路中,用于处理感应负载关断时产生的瞬态电压。其快速恢复特性使其在频率从几千赫兹到上百千赫兹的开关电路中能有效工作,是工程师在设计和升级中低功率电源及功率电子系统时的一个可靠选择。

  • 型号:STTH1L06
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-41
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 600V 1A DO41
  • 系列:-
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):80 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 A @ 600 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商器件封装:DO-41
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH1L06的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH1L06是ST意法半导体生产的一款有源、通用型快速恢复整流二极管。该器件采用标准DO-41轴向封装,核心卖点在于其600V的高反向耐压与1A的平均整流电流能力,结合了强大的阻断特性与实用的载流能力。

其技术优势突出体现在动态性能上:典型反向恢复时间仅为80ns,属于快速恢复类型,能显著降低高频开关应用中的开关损耗。同时,在1A电流下正向压降为1.3V,确保了较低的导通损耗,并在额定电压下维持极低的1A反向漏电流。这一系列参数使其成为中低功率开关电源、PFC电路及各类功率转换应用中高效、可靠的整流解决方案。

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