STTH30R02DJF-TR

STTH30R02DJF-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能表面贴装功率整流二极管。该器件采用先进的PowerFlat封装技术，在紧凑的5mm x 6mm占位面积内实现了高达30A的平均整流电流与200V的最大反向电压处理能力，为高功率密度应用提供了理想的解决方案。

其核心架构基于优化的快速恢复结技术，实现了卓越的开关性能。反向恢复时间（trr）典型值仅为50纳秒，这显著降低了开关过程中的功率损耗和电磁干扰（EMI），使其在高速开关电路中表现出色。同时，在30A的额定电流下，正向压降（Vf）仅为1.15V，这一低导通损耗特性直接提升了系统的整体能效。

在功能特性方面，该二极管展现了出色的电气稳定性。快速恢复特性（≤500ns）使其能够胜任高频整流和续流应用。其反向漏电流在200V反向电压下被严格控制在10A级别，确保了关断状态下的低功耗和高可靠性。该器件采用表面贴装设计，兼容自动化贴片生产，其PowerFlat封装提供了优异的热性能，有助于将芯片产生的热量高效传导至PCB，简化散热设计。如需获取官方技术支持和样品，可以联系ST代理。

从接口与参数来看，它采用8-PowerVDFN（PowerFlat）封装，引脚布局优化了电流路径和热传导。关键参数如200V Vrrm、30A Io与50ns trr的组合，定义了其在严苛工况下的性能边界。这些参数使其特别适用于需要高效率和高可靠性的功率转换场景。

在应用场景上，STTH30R02DJF-TR非常适合作为开关电源（SMPS）中的输出整流器、功率因数校正（PFC）电路中的升压二极管，以及电机驱动、不间断电源（UPS）和焊接设备中的续流二极管。其快速恢复和低损耗特性，使其在服务器电源、通信基础设施和工业自动化等高要求领域成为提升系统效率与功率密度的关键元件。

• 型号:STTH30R02DJF-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STD 200V 30A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):30A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 30 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):50 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 200 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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STTH30R02DJF-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装通用整流二极管，核心优势在于高电流处理能力与快速开关特性的结合。该器件可承受30A的平均整流电流和200V的最大反向电压，其快速恢复时间低至50ns，能有效降低高频开关应用中的开关损耗和噪声。

器件采用紧凑的PowerFlat（5x6）封装，在实现高功率密度的同时提供了优异的热性能。其正向压降在30A电流下仅为1.15V，反向漏电流极低，这共同保障了系统的高效率和运行可靠性，使其成为开关电源、电机驱动和功率校正等应用的理想选择。