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STTH3R06S

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 600V 3A SMC
原厂封装:封装:SMC
优势价格,STTH3R06S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH3R06S的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH3R06S是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用表面贴装SMC(DO-214AB)封装的标准型快速恢复整流二极管。该器件基于优化的平面硅芯片技术构建,其核心在于实现了反向恢复电荷(Qrr)与正向压降(Vf)之间的出色平衡。这种架构设计确保了在快速开关过程中,由少数载流子复合引起的能量损耗被显著降低,从而提升了整体能效和可靠性。

该二极管的关键电气性能使其在要求严苛的功率电路中表现出色。它具备600V的高反向重复峰值电压(VRRM)3A的平均正向整流电流(IF(AV))能力,为设计提供了宽裕的电压和电流裕量。其典型反向恢复时间(trr)仅为35ns,这使其归属于快速恢复二极管类别,能够有效抑制高频开关应用中的反向恢复电流尖峰和相关的电磁干扰(EMI)。在3A的额定电流下,其正向压降典型值为1.7V,这表明其具有较低的导通损耗。此外,在最高600V反向电压下,其反向漏电流(IR)典型值低至3A,体现了优异的阻断特性,有助于降低待机功耗。

在接口与参数方面,STTH3R06S采用行业标准的SMC封装,其紧凑的尺寸和表面贴装特性非常适合自动化贴片生产,有助于实现高密度PCB布局。其工作结温范围宽,确保了在多种环境下的稳定运行。对于需要批量采购和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的规格书、样品以及应用设计指导。

得益于其快速恢复特性、高电压额定值和稳健的封装,STTH3R06S非常适用于开关模式电源(SMPS)中的PFC(功率因数校正)电路、高频逆变器、电机驱动器的续流或缓冲电路,以及UPS(不间断电源)和工业照明中的整流环节。在这些应用中,它能够有效处理高频开关动作,提升系统效率,并增强对电压瞬变的耐受能力。

  • 型号:STTH3R06S
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMC
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 600V 3A SMC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):35 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 600 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AB,SMC
  • 供应商器件封装:SMC
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH3R06S的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH3R06S是ST意法半导体生产的一款表面贴装快速恢复整流二极管,采用SMC封装。其核心特性包括高达600V的反向电压和3A的平均整流电流,为功率电路设计提供了坚实的基础。

该器件的突出优势在于其快速开关性能,典型反向恢复时间仅为35ns,能显著降低高频开关应用中的开关损耗和噪声。同时,在3A电流下1.7V的典型正向压降确保了较低的导通损耗,结合其微安级的反向漏电流,共同优化了系统的整体能效。

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