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STTH4L06RL

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
原厂封装:封装:DO-201AD
优势价格,STTH4L06RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH4L06RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH4L06RL是ST意法半导体推出的一款通用型快速恢复整流二极管,采用轴向引线的DO-201AD封装,适用于通孔安装。该器件基于优化的平面硅芯片技术构建,其核心架构旨在实现高反向电压耐受与快速开关性能的平衡。内部PN结经过特殊设计,结合了精确的载流子寿命控制工艺,从而在保证高击穿电压的同时,有效降低了反向恢复电荷与时间,这是其实现快速恢复特性的关键。

在功能特性上,该二极管展现出卓越的电气性能。其最大反向重复电压高达600V,能够可靠地工作在高压线路环境中。在正向导通方面,当正向电流为3A时,其典型正向压降仅为1.3V,这意味着在额定电流下具有较低的导通损耗,有助于提升整体能效。尤为突出的是其快速恢复能力,反向恢复时间(trr)典型值仅为75ns,属于快速恢复二极管范畴,这使其能够有效抑制开关过程中的电压尖峰和振荡,减少开关噪声和电磁干扰(EMI)。此外,在600V反向电压下,其反向漏电流典型值低至3A,体现了良好的反向阻断特性,有助于降低待机功耗。

从接口与参数来看,该器件采用标准的两引脚轴向封装(DO-201AD),便于在PCB板上进行通孔焊接,提供了良好的机械强度和散热路径。其平均整流电流(Io)额定值为4A,能够处理中等功率级别的整流任务。结合其600V的耐压和快速的恢复速度,这些参数共同定义了它在要求高效率与可靠性的功率电路中的适用边界。对于需要获取官方技术支持和正品供应的用户,可以联系ST中国代理以获取详细资料和采购信息。

基于上述技术特点,STTH4L06RL非常适合应用于开关模式电源(SMPS)的次级侧整流、功率因数校正(PFC)电路、逆变器以及各种AC-DC转换器中的续流和缓冲电路中。其快速恢复特性使其在频率较高的开关电源设计中尤为有用,可以有效减少开关损耗并提高电源效率。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有设备和维修市场中,它仍然是需要高耐压、快速响应整流解决方案时的经典可靠选择之一。

  • 型号:STTH4L06RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-201AD
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):4A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):75 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 600 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AD,轴向
  • 供应商器件封装:DO-201AD
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH4L06RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH4L06RL是ST意法半导体生产的一款轴向封装通用快速恢复整流二极管。该器件核心卖点在于其高耐压与快速开关特性的结合,其最大反向电压达600V,平均整流电流为4A,能够胜任中高压环境下的整流任务。

其技术优势体现在优异的动态性能上,典型反向恢复时间仅为75ns,属于快速恢复类型,能有效降低开关损耗和电磁干扰。同时,在3A正向电流下,正向压降典型值为1.3V,保证了较低的导通损耗。这些参数使其成为开关电源、PFC电路及逆变器等应用中,对效率和可靠性有较高要求场景下的适用元件。

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