STTH810G

STTH810G是ST意法半导体推出的一款高性能通用整流二极管，采用经典的快速恢复技术，旨在为高电压、大电流的功率应用提供可靠的解决方案。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，其结构设计优化了热传导路径，将芯片产生的热量高效地通过金属接片传递至散热器或PCB，从而在紧凑的封装内实现了出色的功率处理能力和长期运行稳定性。

该二极管的核心优势在于其1000V的高反向击穿电压与8A的平均正向整流电流的组合，这使其能够承受严苛的电压应力并处理可观的功率等级。其正向压降在8A的额定电流下典型值为2V，这一特性有助于降低导通损耗，提升整体能效。更为关键的是，它具备快速恢复特性，反向恢复时间（trr）典型值仅为85ns，这能显著降低开关电源、逆变器等高频应用中的开关损耗和电磁干扰（EMI）。

在电气参数方面，除了优异的静态特性，其反向漏电流在1000V反向电压下被控制在极低的5A水平，体现了良好的阻断能力。其快速恢复速度（≤500ns）确保了在高频开关环境中能够迅速从导通状态切换到截止状态，减少反向恢复电荷带来的负面影响。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST一级代理获取详细的技术支持与供货信息。该器件采用TO-263-3（DPak）封装，这种三引脚（两引脚加一中央散热接片）的封装形式非常适合自动化表面贴装生产，并能满足高功率密度设计的需求。

基于其高耐压、大电流和快速恢复的特性，STTH810G非常适用于需要高效整流的工业级功率电子设备。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和输出整流环节、UPS（不间断电源）系统、工业电机驱动的逆变器模块以及电焊机等设备。其稳健的设计使其能够在这些对可靠性和效率要求极高的领域中，作为关键整流元件稳定工作。

• 型号:STTH810G
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STANDARD 1000V 8A D2PAK
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1000 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2 V @ 8 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1000 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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STTH810G是STMicroelectronics生产的一款表面贴装通用整流二极管，采用D2PAK封装。其核心电气参数包括高达1000V的最大直流反向电压（Vr）和8A的平均整流电流（Io），能够胜任高电压、大功率的整流应用。

该器件在8A正向电流下的典型正向压降（Vf）为2V，有助于优化导通损耗。其关键特性在于快速恢复性能，反向恢复时间（trr）典型值为85ns，属于快速恢复二极管范畴，这使其能够有效降低高频开关电路中的开关损耗和噪声。在1000V反向电压下，其反向漏电流仅为5A，展现了良好的反向阻断特性。