STU13NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一员，STU13NM60N是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面工艺与专利的垂直结构设计。该架构的核心在于优化了单元密度与电荷平衡，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其600V的漏源电压（Vdss）额定值，使其能够从容应对工业级应用中的高压应力与电压尖峰，为系统提供了坚固的电气屏障。

该器件在性能上展现出显著优势，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为360毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在27nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着开关过程中的驱动损耗得以降低，并允许使用更简洁、成本更优的驱动电路来实现快速开关，这对于提升开关电源的功率密度和工作频率至关重要。其封装形式为通孔安装的IPAK（TO-251），提供了良好的机械强度和散热能力，在Tc条件下最大功率耗散可达90W，结温（Tj）最高支持150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。

在接口与关键参数方面，STU13NM60N的栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的Vgs，增强了抗干扰能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V（@250A），提供了充足的噪声容限，防止误触发。连续漏极电流（Id）在壳温条件下额定值为11A，能够承载相当的功率流。这些参数共同定义了一个高效、强健的功率开关界面，用户可以通过官方ST代理获取完整的数据手册与设计支持。

基于其高压、高效、高可靠性的特点，此MOSFET非常适用于需要高性能功率转换的场合。典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动与控制的辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，减少散热需求，并帮助设计者实现更紧凑、更可靠的电源解决方案。

• 型号:STU13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU13NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-251（IPAK）通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至360毫欧（典型值），显著降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大27nC）和输入电容有利于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升整体电源效率。器件支持高达150°C的结温工作，并具备90W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的长期运行可靠性。