STU2LN60K3

STU2LN60K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为在高压、高效率的开关电源应用中提供可靠的性能而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了优异的开关性能与功率转换效率的平衡。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源前级整流、功率因数校正（PFC）等高压环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2A，结合仅4.5欧姆的最大导通电阻（Rds(on)）（测试条件为1A，10V），确保了在导通状态下的低功耗和低热量产生。其栅极驱动设计友好，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4.5V，而标准驱动电压为10V，与常见的控制器输出电平兼容，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在动态参数方面，STU2LN60K3表现出色。其输入电容（Ciss）最大值为235pF，较低的电容值有助于提升开关速度。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±30V，提供了足够的噪声裕量和驱动安全性。其最大结温（Tj）高达150°C，最大功率耗散为45W（壳温条件下），赋予了其强大的热性能和可靠性，适合在环境温度较高的场合下持续工作。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借这些技术特性，STU2LN60K3非常适用于要求高耐压和中等电流能力的离线式开关电源（SMPS）、照明镇流器、辅助电源以及电机驱动控制等应用场景。其稳健的设计和意法半导体的工艺保证，使其成为工程师在开发高效、紧凑型功率电子系统时的一个可靠选择。

• 型号:STU2LN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU2LN60K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.5欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至12nC，这共同保障了高效率与低开关损耗。器件支持高达150°C的结温工作，功率耗散能力为45W，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。