STU2N80K5

STU2N80K5是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH5系列N沟道功率MOSFET，采用先进的平面工艺技术构建。该器件采用经典的IPAK（TO-251）通孔封装，其核心架构旨在实现高压环境下的高效开关与低损耗运行。其800V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了宽裕的安全裕度，而2A的连续漏极电流（Id）能力则确保了其在中小功率应用中的稳定输出。

该芯片的功能特点突出体现在其优化的动态特性上。得益于SuperMESH5技术，它在保持高耐压的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1A电流条件下典型值仅为4.5欧姆，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为9.5nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体效率、降低电磁干扰（EMI）至关重要。其输入电容（Ciss）同样维持在较低水平，进一步简化了栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面，STU2N80K5的栅源驱动电压（Vgs）范围为±30V，标准驱动电压为10V，具有较宽的驱动兼容性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。器件的最大功率耗散为45W（基于壳温Tc），结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，赋予了产品出色的热稳定性和环境适应性。这些参数共同塑造了器件高耐压、低损耗、开关迅速的核心特性。

基于上述技术优势，STU2N80K5非常适用于需要高压开关和高效能转换的场合。典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及工业控制中的电机驱动辅助电路等。其稳健的性能和可靠性使其成为工程师在构建高性价比、高效率电源系统时的优选方案。如需获取该产品的官方技术资料、样品或批量采购支持，可以通过授权的ST代理渠道进行咨询。

• 型号:STU2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU2N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用IPAK（TO-251）通孔封装。其核心卖点在于高达800V的漏源电压（Vdss）与2A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化的技术实现了优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为4.5Ω @ 1A，有效降低了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值9.5nC @ 10V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并简化驱动设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗45W，展现出良好的热可靠性与环境适应性。