STU3N62K3

STU3N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡，其核心在于通过改进的单元几何结构与外延层工艺，显著降低了单位面积下的特定导通电阻（Rds(on)），从而在高压应用中有效提升了能效并减少了传导损耗。

得益于SuperMESH3技术，该MOSFET展现出多项关键特性。其620V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠工作裕量。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至2.5欧姆（@1.4A），这直接转化为更低的通态功耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13nC，结合385pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于提升开关频率并简化驱动电路设计。其最高结温（Tj）可达150°C，并采用通孔式I-PAK封装，提供了良好的功率处理能力（45W，Tc）与散热性能，适合在要求苛刻的工业环境中使用。

在电气参数上，该器件在25°C壳温下连续漏极电流（Id）额定值为2.7A，能够满足中小功率级别的电流处理需求。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力和与标准逻辑电平或控制器输出的兼容性。±30V的最大栅源电压（Vgs）范围则为驱动电路的设计提供了充足的灵活性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件与技术资料。

综合其高压、低损耗及快速开关的特性，STU3N62K3非常适用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、电机驱动辅助电源以及各类AC-DC转换器中的功率开关环节。其稳健的设计使其成为追求高可靠性、高能效的工业级和消费类电源产品的理想选择。

• 型号:STU3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU3N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其620V的高漏源击穿电压与优异的低导通电阻特性（典型值2.5Ω @ 1.4A， 10V），这使其在高压开关应用中能有效降低传导损耗，提升整体能效。

此外，其极低的栅极电荷（13nC）和输入电容有助于实现快速开关，减少开关损耗，并简化驱动电路设计。器件采用通孔I-PAK封装，在壳温条件下支持高达45W的功率耗散，结合150°C的最高工作结温，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命，适用于要求高可靠性的工业级电源与功率转换系统。