STU3N80K5

作为ST意法半导体SuperMESH5产品家族中的一员，STU3N80K5是一款采用先进平面工艺技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的SuperMESH5技术，该技术通过优化单元结构和制造工艺，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。这种架构上的创新使得器件在高压工作条件下，能够实现更低的传导损耗和更优的开关性能，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该器件具备一系列突出的功能特点。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压尖峰和浪涌，确保了系统在恶劣电网环境下的高可靠性。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，结合仅3.5欧姆（@1A，10V）的最大导通电阻，意味着在导通期间能够有效控制功率损耗，提升整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为9.5nC，较低的栅极驱动需求有助于简化驱动电路设计，并降低开关损耗，特别是在高频开关应用中优势明显。

在接口与关键电气参数方面，STU3N80K5采用标准的10V驱动电压以实现最优的导通特性，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，为驱动设计提供了灵活性。器件的输入电容（Ciss）在100V Vds下最大值为130pF，较小的电容值有助于实现快速的开关瞬态。其封装形式为通孔安装的I-PAK（也称为TO-251），这种封装具有良好的散热能力和机械强度，便于在PCB上进行焊接和安装。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为60W（Tc），确保了其在严苛温度环境下的稳定运行。对于需要可靠货源和全面技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是推荐的渠道。

基于其高压、低损耗及快速开关的特性，STU3N80K5非常适用于需要高效功率处理的多种应用场景。它是离线式开关电源（SMPS）初级侧功率开关的理想选择，例如在反激式、正激式变换器中用作主开关管，能够有效提升电源的功率密度和效率。此外，该器件也适用于功率因数校正（PFC）电路、高压LED照明驱动、电子镇流器以及家用电器中的电机驱动控制等场合，为工程师设计高性能、高可靠性的功率系统提供了有力的半导体解决方案。

• 型号:STU3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU3N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括高达800V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为系统提供了强大的电压处理能力和电流承载能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.5欧姆（@1A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值9.5nC）确保了快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提升系统效率。器件采用I-PAK通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适合要求高可靠性的工业及消费类功率电子设计。