STU4N80K5

STU4N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和沟槽设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而在高压应用中显著降低了传导损耗和开关损耗。其核心架构旨在为工程师提供一个高效、可靠的功率开关解决方案。

该器件具备800V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰，提供了充裕的设计余量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3A，结合仅2.5欧姆（@1.5A，10V）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动特性同样优异，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为5V，而完全开启仅需10V驱动电压，这使其兼容大多数标准PWM控制器。更低的栅极电荷（Qg，最大值10.5nC @10V）和输入电容（Ciss，最大值175pF @100V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体频率和效率。

在接口与封装方面，STU4N80K5采用通孔安装的IPAK（TO-251）封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB板上的机械稳固性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为60W（Tc），展现了强大的热性能和环境适应性。栅极-源极电压被限制在±30V以内，为驱动电路的设计提供了明确的边界。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，STU4N80K5非常适用于要求苛刻的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及工业电机驱动辅助电源等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，增强系统可靠性，是工程师设计高性能、高密度功率转换系统的优选功率器件之一。

• 型号:STU4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU4N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为系统提供了坚固的电压耐受能力和一定的电流处理能力。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动电压下，其最大导通电阻（Rds(on)）低至2.5欧姆（@1.5A），有助于减少导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值10.5nC）和输入电容（Ciss，最大值175pF）确保了快速的开关瞬态，从而降低开关损耗并提升整体效率。器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，最大功率耗散为60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。