STU65N3LLH5

STU65N3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低功率损耗，通过精密的单元结构优化，确保了在高电流负载下仍能维持高效稳定的工作状态，为功率转换和电机控制应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。它具备30V的漏源击穿电压（Vdss），并在壳温（Tc）条件下支持高达65A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和32.5A测试电流下，最大值仅为7.3毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至8nC @ 4.5V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容性好，便于驱动电路设计。

在接口与参数方面，该器件采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热特性。其最大栅源电压（Vgs）为±22V，提供了充足的驱动安全裕量。器件在壳温条件下的最大功率耗散为50W，结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与产品信息。

基于其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，STU65N3LLH5非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动控制单元（如电动工具、风扇控制器）、电池保护电路以及低压大电流的电源管理系统。其稳健的设计使其成为工业控制和消费电子领域中功率开关方案的可靠选择。

• 型号:STU65N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 65A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 32.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU65N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用通孔I-PAK封装，核心优势在于其优异的电流承载与导通特性，其连续漏极电流（Id）高达65A（Tc），同时在10V Vgs条件下导通电阻（Rds(on)）最大值低至7.3毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。

此外，器件具备低至8nC的栅极电荷（Qg）和30V的漏源电压（Vdss），确保了快速高效的开关性能，适用于高频开关场景。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，提供了良好的环境适应性。这些参数共同使其成为同步整流、电机驱动和低压大电流电源管理等应用的理想功率开关解决方案。