STU6N65M2

STU6N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（Rds(on)）与高击穿电压（BVdss）之间的出色平衡。其内部架构旨在最小化寄生电容，特别是栅极电荷（Qg）和反向恢复电荷（Qrr），这对于提升开关频率、降低开关损耗至关重要，为高效率功率转换应用奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET的核心优势体现在其650V的漏源击穿电压（Vdss）与1.35欧姆的低导通电阻（Rds(on)）组合上。在10V栅极驱动电压（Vgs）下，仅需2A的漏极电流即可达到此Rds(on)典型值，表明其具有优异的导通特性。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至9.8nC，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，使得在硬开关拓扑中也能保持良好的效率。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度，而4A的连续漏极电流（Id）与60W的功率耗散能力则确保了其在中小功率等级下的可靠运行。

在电气参数方面，STU6N65M2的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的抗干扰能力。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为226pF，较低的电容值有助于简化栅极驱动电路设计。该器件采用通孔安装的IPAK（TO-251）封装，这种封装形式在提供良好散热路径的同时，也兼顾了PCB板上的空间利用率与机械强度。其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。用户可通过官方ST代理获取完整的技术资料、样品及批量供应支持。

凭借高耐压、低损耗和快速开关的特性，STU6N65M2非常适合于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动等应用场景。在反激式、正激式等拓扑中，它能有效提升电源的整体效率与功率密度。其稳健的性能使其成为工业控制、消费类电子电源适配器及辅助电源等对成本与性能有均衡要求的设计中的理想选择。

• 型号:STU6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 想获取STU6N65M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STU6N65M2是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为650V漏源电压（Vdss）与4A连续漏极电流（Id），采用TO-251（IPAK）通孔封装，专为要求高可靠性的功率开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优化结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.35欧姆（@2A），同时最大栅极电荷（Qg）低至9.8nC，这有助于显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。