STU70N2LH5

STU70N2LH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式I-PAK封装，专为在紧凑空间内实现高效率、高电流处理能力而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过精密的沟槽工艺技术，在25V的漏源电压（V_DSS）额定值下，实现了极低的功率损耗。

该MOSFET在技术上的一项突出表现是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（V_GS）和24A漏极电流条件下，典型值仅为7.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值仅为8nC（@5V），结合适中的输入电容（C_iss），确保了快速的开关性能，有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作，这对于提升电源转换器和电机驱动电路的动态响应至关重要。低R_DS(on)、低栅极电荷以及高达48A（Tc）的连续漏极电流能力，共同构成了其在功率开关应用中的核心竞争力。

在接口与参数方面，STU70N2LH5提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温），确保了在苛刻环境下的可靠性。其栅极驱动电压范围兼容标准的5V和10V逻辑电平，便于与微控制器或驱动IC直接接口。最大±22V的V_GS额定值提供了良好的栅极过压耐受性。该器件在25°C壳温下的最大功率耗散为60W，用户在设计散热方案时需结合实际工作条件进行计算。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取产品信息、技术资料及采购服务。

凭借其优异的电气特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率转换级、电动工具和无人机中的电机驱动控制、汽车辅助系统中的负载开关，以及各类低压大电流的电源管理模块。其I-PAK封装兼顾了通孔安装的机械强度和便于手工焊接或波峰焊的工艺便利性，适用于多种工业与消费电子产品的设计。

• 制造商产品型号：STU70N2LH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 24A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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STU70N2LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其极低的导通电阻（7.5mΩ @ 10V, 24A）与低栅极电荷（8nC @ 5V）的出色组合，这使其能够在高达48A的连续电流下实现极低的传导损耗和快速的开关速度。

其25V的漏源电压（Vdss）额定值以及宽泛的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在低压高电流应用中的稳定性和可靠性。该MOSFET兼容5V和10V栅极驱动，便于设计，主要面向高效率DC-DC转换、电机驱动和电源管理等高要求功率开关场景。