STU75N3LLH6

STU75N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为需要高电流处理能力和低导通损耗的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，实现了在紧凑封装内的高功率密度，同时保持了出色的热性能和电气可靠性。

该器件的一个显著特点是其极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V栅极驱动电压和37.5A漏极电流条件下，典型值仅为5.9毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。得益于DeepGATE技术，它在提供低栅极电荷（Q_g）的同时，确保了稳健的栅极氧化物保护和更高的雪崩耐量，从而提升了在开关应用中的耐用性和可靠性。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平驱动兼容，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，STU75N3LLH6的连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达75A，漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于低压大电流场景。其栅源电压（V_GS）可承受±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，通过正规的ST一级代理渠道，曾是许多高可靠性设计的优选。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合60W（T_C）的最大功耗能力，使其能够适应苛刻的环境条件。

凭借其高电流容量、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动控制器、电池保护电路以及各类电源管理模块中的同步整流和主开关拓扑。它在需要高效能量转换的工业自动化设备、电动工具、不间断电源（UPS）以及汽车辅助系统中均有广泛的应用潜力，是构建紧凑高效功率系统的关键元件之一。

• 型号:STU75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU75N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，在30V的漏源电压（Vdss）下，能够支持高达75A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为5.9毫欧（@10V，37.5A），这显著降低了功率损耗并提升了系统效率。

其栅极驱动特性优异，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为2.5V，并与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现快速开关，减少开关损耗。该器件设计工作温度范围宽广（-55°C ~ 175°C TJ），具备60W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于要求高电流处理能力的功率开关场景。