STU7N80K5

STU7N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心设计旨在有效控制电场分布，从而在800V的高漏源电压（Vdss）额定值下，依然能保持稳健的电气性能和可靠性，为高压开关应用提供了一个坚固的半导体基础。

得益于SuperMESH5技术的加持，这款MOSFET展现出多项关键电气特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3A漏极电流条件下典型值仅为1.2欧姆，这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在13.4nC（@10V）的较低水平，结合360pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着它在开关过程中所需的驱动能量更小，能够实现更快的开关速度并减少驱动电路的负担，这对于高频开关电源设计尤为重要。器件栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了更宽的驱动安全裕度。

在封装与可靠性方面，STU7N80K5采用标准的通孔安装I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热特性。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，在壳温（Tc）条件下最大可承受110W的功率耗散，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。连续漏极电流（Id）在壳温条件下额定值为6A，满足了中等功率等级的应用需求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

综合其高压、低损耗、快速开关的特性，STU7N80K5非常适用于需要高效能量转换的离线式电源系统。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。在这些领域中，它能够帮助设计工程师构建出更紧凑、能效更高且可靠性强的电源解决方案。

• 型号:STU7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心额定参数包括800V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下6A的连续漏极电流（Id）能力。

该MOSFET的关键优势在于其优化的动态与静态性能。它实现了低至1.2欧姆的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均保持在较低水平，这有助于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。器件采用I-PAK通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类应用环境下的鲁棒性和长寿命。