STU85N3LH5

STU85N3LH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I-PAK封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过改进的沟槽栅极工艺，在紧凑的芯片面积内实现了极低的导通损耗，从而在30V的漏源电压（V_DSS）额定值下，能够支持高达80A的连续漏极电流（I_D）。

该MOSFET的一个显著特点是其卓越的开关性能与导通特性。在10V的栅极驱动电压（V_GS）下，其导通电阻典型值仅为5.4毫欧（在40A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。极低的栅极电荷（Q_g）最大值仅为14nC @ 5V，结合适中的输入电容（C_iss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗显著降低，允许使用更简单、成本更优的驱动电路，并实现更高频率的开关操作，这对于提升电源转换器的功率密度至关重要。

在电气参数方面，该器件展现了宽泛的安全工作范围。其栅源电压（V_{GS）可承受±22V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。阈值电压（VGS(th)）最大值为2.5V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。其结温（TJ）最高可工作在175°C，结合70W（壳温条件下）的功率耗散能力，赋予了其在恶劣热环境下的可靠运行潜力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品信息与供应链服务。}

尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的设计参数使其在特定的存量或替代设计中仍具参考价值。其典型的应用场景包括但不限于低压大电流的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中的同步整流和负载开关。在这些应用中，STU85N3LH5能够有效提升能效，减少热设计复杂度，是构建紧凑型、高性能功率系统的关键元件之一。

• 型号:STU85N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 想获取STU85N3LH5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STU85N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，额定漏源电压为30V，在壳温条件下可支持高达80A的连续漏极电流，具备强大的电流处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻与优异的开关特性。在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为5.4毫欧（@40A），能显著降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（14nC @5V）有助于减少开关损耗，提升系统效率。器件支持高达175°C的结温工作，确保了在高温环境下的可靠性，适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。