STU95N3LLH6

STU95N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET。该器件基于先进的STripFET VI架构，并融合了DeepGATE技术，旨在实现极低的导通电阻与卓越的开关性能。其核心设计优化了单元密度与沟道电阻，使得在紧凑的封装内能够处理高电流负载，同时保持良好的热特性，结温最高可达175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）表现，在10V驱动电压、40A漏极电流条件下，其最大值仅为4.7毫欧。这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗，提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在20nC（@4.5V），配合适中的输入电容，有助于实现快速开关并降低驱动电路的功率需求，使其非常适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）支持范围宽至±25V，提供了良好的驱动灵活性。

在电气参数方面，该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达80A，最大功率耗散为70W。其采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于在功率板上进行焊接和热管理。这些接口与参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户，建议通过官方ST授权代理进行采购咨询。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和快速开关特性，STU95N3LLH6主要面向对效率和功率密度有较高要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理应用。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个经典的高性能功率器件选择，尤其适用于中低电压、大电流的开关场景。

• 制造商产品型号：STU95N3LLH6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：DeepGATE, STripFET VI
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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STU95N3LLH6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI与DeepGATE技术的产品系列。该器件设计用于高效功率开关，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为4.7毫欧，能够显著降低传导损耗。

该MOSFET额定电压30V，在壳温条件下可连续承载高达80A的电流，并支持175°C的最高结温，展现出强大的电流处理能力与鲁棒性。同时，其优化的栅极电荷（最大20nC @ 4.5V）有助于实现快速开关，减少开关损耗，使其成为电机驱动、DC-DC转换和电源分配等应用的理想选择。