STV200N55F3

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STV200N55F3是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率晶体管。该器件采用表面贴装型10-PowerSO封装，专为高功率密度应用而设计，其核心架构基于优化的单元结构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其内部结构经过精心设计，以平衡导通电阻、栅极电荷和电容等关键参数，从而在55V的额定漏源电压下，提供高达200A的连续漏极电流处理能力。

该器件的显著功能特点是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、75A电流条件下，其典型值仅为2.5毫欧。这一特性直接转化为高效率和低热损耗，使其在需要处理大电流的电路中成为理想选择。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升系统在高频工作下的整体效率。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。

在电气参数方面，除了上述特性，STV200N55F3的输入电容（Ciss）最大值为6800pF，这与其栅极电荷参数共同决定了开关动态特性。其最大功率耗散能力为300W（基于壳温），结合其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C），赋予了该器件在严苛环境下的可靠运行潜力。用户在选择和设计驱动电路时，需要综合考虑这些接口与参数，以实现最优的系统性能。

基于其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、工业电机驱动和逆变器、大功率负载开关以及汽车电子中的相关功率控制模块。对于需要获取此型号技术细节或库存支持的工程师，可以咨询专业的ST中国代理以获取进一步的支持。需要注意的是，此产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品。

• 型号:STV200N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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STV200N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用10-PowerSO表面贴装封装，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达200A的连续电流，其额定漏源电压为55V，核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.5mΩ @ 10V, 75A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为100nC，有助于实现高效的开关操作，减少驱动损耗。该器件支持高达±20V的栅源电压，并能在-55°C至175°C的宽结温范围内工作，最大功率耗散为300W，适用于要求高功率密度和高可靠性的应用环境。