STW10N95K5

STW10N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在单晶硅上实现了卓越的功率处理能力与开关性能的平衡。其核心在于显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了出色的栅极电荷（Q_g）特性，这对于提升系统效率、降低开关损耗至关重要。

该器件具备950V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其在应对线路电压波动和感性负载关断时产生的电压尖峰方面表现出极高的可靠性，为系统提供了充裕的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为8A，最大功率耗散可达130W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻典型值极低，在10V栅极驱动电压、4A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为800mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在22nC（@10V），结合±30V的宽栅源电压（V_GS）范围，意味着它易于驱动，能够实现快速、干净的开关切换，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，STW10N95K5的阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V（@100A），确保了良好的噪声免疫能力。其输入电容（C_iss）在100V漏源电压下最大值为630pF，较低的电容值进一步助力于高速开关应用。该器件采用坚固耐用的TO-247通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热管理，其结温（T_J）工作范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取此产品及相关服务。

凭借高耐压、低导通电阻和优良的开关特性，STW10N95K5非常适用于对效率和可靠性要求极高的功率转换领域。其典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主功率变换拓扑（如反激、半桥、全桥）、不间断电源（UPS）、电机驱动与变频器中的逆变桥臂，以及高效照明系统的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现紧凑、高效、可靠电力电子设计的理想选择。

• 型号:STW10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW10N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至800mΩ（最大值，@4A, 10V）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，为高压应用提供了高可靠性与高效率。

在开关性能方面，其最大栅极电荷（Q_g）仅为22nC（@10V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗。该器件在25°C壳温下可承受8A的连续漏极电流，最大功率耗散为130W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 环境下的稳健运行。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中追求高能效与高功率密度设计的优选功率开关解决方案。