STW11NK100Z

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW11NK100Z是一款基于SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-247-3通孔封装。该器件专为应对高压、高效率的应用挑战而设计，其核心架构通过优化的单元结构和先进的工艺技术，在高达1000V的漏源电压（Vdss）下实现了优异的性能平衡。这种设计不仅确保了器件在高压环境下的可靠阻断能力，还显著降低了导通损耗，为系统整体效率的提升奠定了坚实基础。

在功能特性方面，STW11NK100Z展现出卓越的开关性能与导通特性。其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，例如在4.15A电流条件下最大值仅为1.38欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，器件的栅极电荷（Qg）最大值控制在162nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统动态响应更佳。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰能力和驱动安全性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取此型号及相关技术支持。

从详细的接口与电气参数来看，该MOSFET在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为8.3A，最大功率耗散能力高达230W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，体现了其强大的功率处理能力和宽泛的环境适应性。其输入电容（Ciss）在25V偏压下最大值为3500pF，阈值电压Vgs(th)最大为4.5V（@100A），这些参数为驱动电路的设计提供了关键依据，确保开关过程的快速与稳定。TO-247-3封装具有良好的机械强度和散热特性，便于通过散热器进行高效的热管理。

基于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STW11NK100Z非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。它常被用作开关电源（SMPS）中的主开关管，特别是在功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动、UPS不同断电源以及高压DC-DC转换器等系统中。在这些应用中，器件需要频繁地在高压下进行开关操作，其优异的性能有助于提升整机效率、功率密度和长期运行稳定性，是工程师实现高效能、高可靠性电源设计的优选功率器件之一。

• 型号:STW11NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW11NK100Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心卖点在于高达1000V的漏源击穿电压（Vdss）与8.3A（Tc）的连续漏极电流能力，结合优化的技术实现了低导通电阻与开关损耗的平衡。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.38欧姆 @ 4.15A，栅极电荷（Qg）最大值为162nC，这确保了高效的电能转换与快速的开关速度。其最大功率耗散为230W（Tc），工作结温范围达-55°C至150°C，为高压、高功率应用提供了可靠的性能基础与宽泛的工作条件。