STW11NK90Z

STW11NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。该器件基于先进的SuperMESH技术平台构建，通过优化单元结构和工艺，在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而实现了优异的导通损耗与开关性能平衡。

其核心特性在于高达900V的漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压尖峰和浪涌，提供充裕的设计裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为9.2A，结合仅980mΩ（典型条件下）的低导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散，有助于提升系统整体能效。该MOSFET的栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，有助于防止误触发并增强抗噪声能力。

在动态性能方面，STW11NK90Z展现了精心优化的开关特性。其栅极总电荷（Q_g）在V_GS=10V时最大值为115nC，输入电容（C_iss）为3000pF，这些参数共同决定了开关速度与驱动电路的需求，有助于设计者平衡开关损耗与电磁干扰（EMI）。器件允许的栅源电压（V_GS）范围为±30V，提供了较强的栅极过压耐受性。其最大功耗能力为200W（壳温条件下），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商进行采购与咨询。

得益于其高耐压、低导通损耗及稳健的封装，该器件非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升功率密度和系统可靠性，是工程师实现高效、紧凑型高压功率设计的优选元件之一。

• 型号:STW11NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 4.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW11NK90Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至980mΩ的导通电阻（R_DS(on)），这使其在高电压应用中能显著降低导通损耗，提升能效。

在电气参数上，它在25°C壳温下可承受9.2A的连续漏极电流，最大栅极电荷（Q_g）为115nC，有助于实现快速的开关切换并优化驱动设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗200W，确保了在 demanding 环境下的高可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中高压开关应用的理想选择。