STW13N60M2

STW13N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色平衡，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其核心在于优化的单元结构和工艺，有效降低了单位面积的导通损耗，同时通过精心设计的栅极结构控制了开关过程中的电荷需求，从而在高压应用中兼顾了传导损耗与开关损耗的性能。

在功能表现上，该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id）承载能力，确保了在离线式电源等高压环境下的可靠运行。其导通电阻在典型工作条件（10V Vgs， 5.5A Id）下最大值为380毫欧，配合最大仅17nC的栅极总电荷，使得器件能够实现快速、高效的开关动作，有助于减少开关损耗并提升系统整体能效。此外，其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。该器件采用坚固的TO-247通孔封装，最大结温（Tj）可达150°C，并支持高达110W的功率耗散，展现了良好的热管理和功率处理能力。

从接口与参数角度看，其输入电容（Ciss）在100V Vds下最大为580pF，阈值电压（Vgs(th)）最大为4V，这些参数共同定义了器件的驱动特性，便于工程师进行栅极驱动电路的设计与优化。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术资料和支持。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格依然代表了其在生命周期内针对特定应用需求的设计取向。

该MOSFET典型应用于需要高效能和高可靠性的中高功率场合，例如开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器、电机驱动逆变器以及不间断电源（UPS）系统。其600V的耐压使其非常适合用于85V至265V全球通用交流输入电压的离线式电源前端电路。在这些应用中，其低Rds(on)有助于降低导通损耗，而低Qg特性则有利于提高开关频率、减小磁性元件尺寸，最终助力设计出更紧凑、效率更高的电源解决方案。

• 型号:STW13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（380mΩ @ 10V， 5.5A）与低栅极电荷（17nC @ 10V）的良好折衷。这一特性使其在开关电源中能同时优化传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。器件设计工作结温范围为-55°C至150°C，最大功率耗散为110W，确保了在严苛环境下的稳定运行。