STW13N95K3

STW13N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，专为应对高压、高功率应用环境而设计。其核心架构通过优化的单元设计和第三代超级结工艺，在高达950V的漏源电压（Vdss）规格下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间出色的性能平衡，这直接关系到开关损耗与导通损耗的降低，是提升系统整体效率的关键。

在功能特性上，该器件展现了强大的性能。其10A的连续漏极电流（Tc条件下）与190W的最大功率耗散能力，确保了在严苛工况下的稳定运行与高功率处理潜力。其导通电阻在5A电流、10V驱动电压下最大仅为850毫欧，较低的Rds(on)意味着更低的导通压降和更少的热量产生。同时，最大栅极电荷（Qg）控制在51nC（@10V），结合1620pF的输入电容（Ciss @100V），有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的损耗和电磁干扰（EMI），这对于高频开关电源设计至关重要。

该MOSFET的接口与电气参数设计充分考虑了系统的鲁棒性与易用性。其栅源驱动电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了宽裕的安全裕度，而阈值电压Vgs(th)最大为5V，确保了良好的噪声免疫能力。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，适应工业级和汽车级应用的温度要求。对于需要可靠供应链和批量供货保障的设计项目，可以通过授权的ST一级代理进行采购与技术咨询。

基于其高压、高效率的特性，STW13N95K3非常适用于对电压应力和能效有较高要求的功率转换场景。典型应用包括工业电源中的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、UPS不间断电源系统以及电机驱动和照明镇流器的功率级。尽管其零件状态标注为不适用于全新设计，但对于许多现有产品的维护、升级或特定批量的生产项目而言，它仍然是一个经过市场验证的、性能可靠的功率开关解决方案。

• 型号:STW13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括950V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Tc条件下），为高压开关应用提供了坚实的电压阻断和电流处理能力。

其技术亮点在于通过先进的工艺实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为850毫欧，而栅极电荷（Qg）最大值控制在51nC，这共同保障了较低的导通损耗与快速的开关性能，有助于提升电源系统的整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求严苛的工业与能源领域。