STW13NK100Z

STW13NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列高压功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其N沟道增强型MOSFET架构确保了在高压开关应用中的可靠性和稳定性，为功率转换系统提供了一个高效的单管解决方案。

该芯片的核心优势在于其卓越的电气性能。它具备1000V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中的高压应力和电压尖峰。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6.5A电流条件下典型值仅为700毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数层面，STW13NK100Z采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其结壳热阻较低，结合高达350W（Tc）的最大功率耗散能力，使其能够承受较高的功率输出。器件支持±30V的宽范围栅源电压，提供了设计灵活性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高耐压、低损耗和强健的封装特性，该MOSFET非常适合应用于要求苛刻的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、工业电机驱动和变频器、电焊机以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等系统。在这些场景中，它能够有效提升功率密度和能效，同时保证系统的长期可靠性。

• 型号:STW13NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13NK100Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件专为高压、高效率应用而设计，其核心电气参数包括1000V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于通过SuperMESH技术实现了低导通电阻（典型700mΩ @ 10V）与高耐压的优化组合，这有助于显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于提升开关速度并减少开关损耗。采用TO-247-3封装，确保了出色的散热性能，使其适用于高功率密度设计。