STW13NK60Z

STW13NK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡。其核心在于通过独特的网格状源极金属化布局和增强的沟道密度，有效降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其优异的性能组合。它具备600V的高漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力环境。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值远低于550毫欧，这意味着在13A（T_C=25°C）的连续电流下，器件的传导损耗被控制在很低的水平。更值得关注的是其开关性能，最大栅极电荷（Q_g）仅为92nC，结合2030pF的输入电容（C_iss），使得栅极驱动电路的设计更为简便，有助于降低开关损耗并提升系统在较高频率下的工作效率。

在电气参数与物理接口上，STW13NK60Z展现了高度的设计友好性。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，并支持高达±30V的栅源电压，提供了充足的噪声裕量和驱动灵活性。器件采用经典的TO-247-3通孔封装，这种封装形式具有出色的热性能，其结壳热阻低，能够将芯片产生的热量高效地传导至散热器，从而支持高达150W（T_C）的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STW13NK60Z非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和主开关拓扑的理想选择，能够有效提升电源的整体能效。在工业自动化领域，该器件常被用于电机驱动器的逆变桥臂，实现对交流或直流电机的平稳、高效控制。此外，在UPS（不间断电源）、电焊机、照明镇流器等设备中，它也能作为核心功率开关元件，为系统提供稳定可靠的功率处理能力。

• 型号:STW13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（V_DSS）与13A连续漏极电流（I_D）下的低导通电阻特性，实现了传导损耗的最小化。

此外，其优化的动态参数，如低至92nC的栅极电荷（Q_g），显著降低了开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-247-3封装，提供卓越的热管理能力，功率耗散可达150W，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在各种工业与消费类电源应用中的高可靠性和鲁棒性。