STW13NK80Z

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW13NK80Z是一款采用SuperMESH技术的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，其核心设计旨在优化高压开关应用中的性能表现。其架构通过先进的单元设计和工艺优化，在保持高阻断电压能力的同时，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在效率与开关速度之间取得了良好平衡。

该器件具备800V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，配合650mΩ（典型条件下）的低导通电阻（Rds(on)），确保了在导通期间具有较低的功率损耗。其栅极驱动特性也经过精心设计，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而标准驱动电压为10V，这为驱动电路的设计提供了灵活性和可靠性保障。

在动态参数方面，STW13NK80Z的栅极电荷（Qg）最大值仅为155nC（@10V），结合3480pF的输入电容（Ciss），这意味着它能够实现较快的开关速度，有助于降低开关损耗并提升系统整体频率。其最大结温（TJ）范围为-55°C至150°C，最大功耗为230W（Tc），展现了其稳健的热性能和功率处理能力。对于需要可靠元器件供应的项目，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品来源与质量的重要途径。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、工业电机驱动与变频器、不同断电源（UPS）以及照明镇流器等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在相关应用的历史方案分析与备件维护中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STW13NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW13NK80Z是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心电气参数包括800V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。其导通电阻（Rds(on)）在典型条件下低至650mΩ，有助于减少导通损耗。同时，155nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关切换能力，有利于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为工业电源和电机驱动等应用中高效功率管理的可靠选择。