STW15N80K5

STW15N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。TO-247封装提供了优异的散热路径，确保器件在高功率耗散条件下仍能稳定工作。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业及消费类开关电源中常见的电压应力，例如在反激式或PFC（功率因数校正）电路中提供充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，结合仅375毫欧（@7A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够实现极低的功率损耗。栅极电荷（Qg）最大值仅为32nC（@10V），这一特性显著降低了驱动电路的负担和开关过程中的能量损失，有助于实现更高频率的开关操作并简化栅极驱动设计。

在电气接口与参数方面，STW15N80K5的标准驱动电压为10V，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，为驱动电路设计提供了灵活性。器件的输入电容（Ciss）在100V偏置下最大为1100pF，与低栅极电荷共同构成了快速开关性能的基础。其最大功率耗散能力为190W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

凭借高耐压、低导通电阻和优异的开关特性，STW15N80K5非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）、电焊机以及高性能LED照明驱动。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STW15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW15N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在极低的导通损耗和开关损耗上。在10V驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为375毫欧，同时最大栅极电荷（Qg）低至32nC。这种组合确保了在高频开关电源拓扑中既能实现高效的功率传输，又能保持快速的开关速度，从而全面提升系统效率。其190W的功率耗散能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，进一步保障了其在 demanding 应用环境下的长期稳定运行。