STW17N62K3

STW17N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而为高压开关应用提供了高效能解决方案。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该器件具备620V的高漏源击穿电压（Vdss），确保了其在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠工作裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达15.5A，支持处理较大的功率等级。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、7.5A漏极电流条件下最大仅为380毫欧，较低的Rds(on)直接转化为更低的通态损耗，提升了能效。栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STW17N62K3的阈值电压（Vgs(th)）最大为4.5V，属于标准逻辑电平兼容范围。其输入电容（Ciss）在50V漏源电压下最大为2500pF，结合较低的Qg特性，共同决定了其快速的开关性能。该器件采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力在壳温条件下为190W，最高结温（Tj）可达150°C，确保了在严苛热环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST中国代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、工业电机驱动的逆变器桥臂、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等。其设计有助于工程师构建更紧凑、更高效的电源系统，满足日益严格的能效标准。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和性能参数在诸多现有设计和备件替换市场中仍具有重要参考价值。

• 型号:STW17N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW17N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心规格包括620V的漏源电压（Vdss）和15.5A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为380毫欧，有效降低了通态损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其在提升系统整体效率方面表现突出。

该器件设计工作结温高达150°C，功率耗散能力为190W，确保了在 demanding 环境下的热可靠性。它主要面向开关电源、电机驱动和功率校正等需要高效能开关解决方案的工业与消费电子领域。