STW18N65M5

STW18N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247通孔封装，专为在高电压、高功率应用中实现卓越的开关效率和热管理而设计。其核心架构通过优化单元密度和垂直结构，在保持高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关损耗和传导损耗之间取得了出色的平衡。

该芯片具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达15A，支持处理较大的功率流。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压和7.5A漏极电流条件下，最大值仅为220毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在31nC（@10V），结合1240pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路的设计并提升开关频率。

在接口与参数方面，STW18N65M5采用标准的TO-247三引脚（栅极、漏极、源极）封装，便于安装和散热。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。器件的最大结温（Tj）高达150°C，最大功率耗散为110W（壳温条件下），展现了强大的热性能和处理瞬态功率的能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适合应用于工业级开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、电机驱动控制器以及电焊机等设备中。它能够有效提升电源系统的功率密度和效率，是工程师在设计和优化中高功率电力电子系统时的理想功率开关选择。

• 型号:STW18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW18N65M5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW18N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于结合了650V的高漏源电压（Vdss）与15A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

该器件隶属于MDmesh V产品系列，其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为220毫欧，栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC，这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率并允许更高的开关频率。其150°C的最高结温和110W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的稳定运行。