STW18NK60Z

STW18NK60Z是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用通孔TO-247-3封装，专为高电压、大电流的开关应用而设计。其核心架构基于ST先进的SuperMESH技术，该技术通过优化单元结构和工艺，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而实现了优异的导通损耗与开关性能平衡。

该器件具备600V的高漏源击穿电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对工业级功率环境下的电压应力和电流负载。其导通电阻在典型工作条件下（8A，10V Vgs）最大值为360毫欧，较低的Rds(on)直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。其栅极电荷（Qg）典型值为170nC，结合3540pF的输入电容（Ciss），意味着在开关过程中需要管理的电荷量相对适中，有助于简化栅极驱动电路设计并控制开关损耗。

在热性能方面，STW18NK60Z在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达230W，结合TO-247封装良好的散热特性，能够有效管理开关过程中的热量。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。需要注意的是，该器件目前已处于停产状态，在进行新设计选型时需考虑替代方案或库存供应，相关技术支持和供货信息可咨询ST中国代理。

凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的封装特性，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换和管理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率电子设备。它为工程师提供了一个在600V电压等级下实现高效、可靠功率开关的经典解决方案。

• 型号:STW18NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW18NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），能够满足高压大电流应用的需求。

其关键优势在于采用了SuperMESH技术，实现了较低的导通电阻（最大360mΩ @ 8A, 10V），有助于降低传导损耗，提升系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有利于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。器件最大功率耗散为230W（Tc），工作结温范围宽至-55°C至150°C，确保了在 demanding 环境下的热可靠性和长期稳定性。