STW18NM60ND

STW18NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过精密的单元布局和创新的沟槽工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时确保了栅极电荷（Q_g）和输出电容（C_oss）等动态参数得到良好控制，这对于提升开关效率、降低开关损耗至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极电荷（Q_g）最大值仅为34nC，结合适中的输入电容，意味着对栅极驱动电路的要求更为友好，有助于简化驱动设计并可能提升开关速度。

在电气参数上，STW18NM60ND在壳温（T_c）条件下可支持13A的连续漏极电流，最大功率耗散为110W。其采用坚固的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上以管理热耗散。器件的工作结温高达150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目，通过正规的ST授权代理进行采购是确保产品正宗性和获取完整技术资料的重要途径。

凭借其高耐压、良好的导通与开关特性，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、不同断电源（UPS）以及电机驱动中的辅助电源部分。其设计旨在帮助工程师在诸如服务器电源、电信基础设施等对能效和功率密度有持续要求的系统中，实现更优的性能与热管理。

• 型号:STW18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW18NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247封装，核心特性包括600V的漏源电压（V_DSS）和13A的连续漏极电流（T_c），为高压应用提供了坚实的耐压和载流基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）表现良好，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g，最大值34nC）有利于实现更快的开关速度和更高的开关频率，从而提升电源系统的整体效率与功率密度。这些特性使其成为工业电源、功率因数校正等高效能转换设计的理想选择。