STW18NM80

STW18NM80是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了出色的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该器件具备多项突出的功能特点。其800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级应用中的高压应力和电压尖峰，提供了宽裕的设计余量。在导通特性方面，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为295毫欧（@8.5A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在70nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在接口与关键参数上，STW18NM80采用坚固可靠的TO-247-3通孔封装，便于散热器安装，其结壳热阻低，支持高达190W（Tc）的功率耗散能力。器件在25°C壳温下可连续通过17A的漏极电流，并且其栅极驱动电压范围宽（±30V），增强了应用的灵活性。最高结温（Tj）可达150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的综合优势，STW18NM80非常适合于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）级和高压DC-DC转换拓扑的理想选择，尤其适用于服务器电源、工业电源和电信基础设施。此外，在电机驱动、不间断电源（UPS）以及新能源领域的太阳能逆变器和储能系统中，该器件也能有效提升功率密度和整体能效，满足现代电力电子设备对高性能功率开关元件的需求。

• 型号:STW18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW18NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），采用TO-247-3封装，专为高效能、高可靠性的功率转换应用而设计。

其关键优势在于实现了优异的性能平衡：极低的导通电阻（Rds(on)典型值295mΩ @ 10V）有效降低了传导损耗，同时优化的栅极电荷（Qg最大值70nC）有助于实现快速的开关速度并降低开关损耗。高达190W的功率耗散能力和150°C的最高工作结温，确保了其在高压、大电流工作条件下的长期稳定运行。