STW200NF03

STW200NF03是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-247-3封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过先进的沟槽工艺实现了极低的单位面积导通阻抗，从而在紧凑的封装内承载高达120A（T_C=25°C）的连续漏极电流。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通性能与开关效率。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻低至2.8毫欧（@60A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在280nC（@10V）以内，结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其漏源击穿电压（V_DSS）为30V，栅源电压（V_GS）最大耐受值为±20V，提供了稳定的工作余量。

在电气参数方面，STW200NF03展现了宽泛的工作适应性。其导通阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。器件在管壳温度（T_C）下的最大功率耗散能力为350W，结合其-55°C至175°C的结温（T_J）工作范围，使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。对于关键元器件的采购与技术支持，建议通过官方ST授权代理渠道，以确保产品正宗并获得完整的应用支持。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，该器件非常适合用于要求严苛的功率转换与管理场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、高性能同步整流电路、电机驱动控制中的H桥或半桥拓扑，以及各类需要高效开关和低损耗的电源模块。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍是一款经过验证的高可靠性功率开关解决方案。

• 型号:STW200NF03
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:280 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW200NF03是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，隶属于高性能的STripFET II产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻与高电流承载能力，在10V栅极驱动下，R_DS(on)最大值仅为2.8毫欧（@60A），连续漏极电流（I_D）高达120A（T_C），能显著降低导通损耗，提升功率转换效率。

该器件设计用于30V的漏源电压环境，其栅极电荷（Q_g）典型值为280nC，有助于实现快速的开关速度，优化高频开关性能。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与高达350W（T_C）的功率耗散能力，确保了其在高温、高功率应用场景下的可靠性与稳定性。