STW20N65M5

STW20N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。这种核心架构设计旨在显著降低传导损耗和开关损耗，提升功率转换系统的整体效率，尤其适用于需要高频率开关和高效能的应用环境。

该MOSFET的关键特性体现在其优异的电气参数上。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为18A，而导通电阻在9A电流和10V栅源电压驱动下，最大值仅为190毫欧，这确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC @ 10V，结合1345pF @ 100V的输入电容（Ciss），共同构成了快速的开关性能，有助于减少开关过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了稳健的驱动安全裕度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

在接口与封装方面，STW20N65M5采用工业标准的TO-247通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散可达130W（Tc），工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工作环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格依然代表了其在生命周期内针对高性能电源设计的定位。其参数组合，包括5V @ 250A的栅极阈值电压（Vgs(th)），使其与常见的控制器驱动电路能够良好匹配。

基于其650V的耐压能力和高效的开关特性，STW20N65M5非常适合于开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器、以及工业电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用场景。在这些领域中，其对效率、功率密度和可靠性的要求，与该器件通过MDmesh V技术所实现的低损耗特性高度契合。

• 型号:STW20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和18A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动电压下，导通电阻典型值较低，而最大栅极电荷仅为45nC，这共同保障了较低的传导损耗和快速的开关速度，有助于提升电源系统的整体能效。该器件设计工作结温高达150°C，展现了良好的热性能与可靠性。