STW20N95K5

作为ST意法半导体SuperMESH5系列中的一员，STW20N95K5是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，其核心架构基于先进的SuperMESH5工艺。该工艺通过优化单元结构和沟槽技术，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这使得器件在高压工作条件下，能够实现更低的传导损耗和更高的开关效率，为高要求的功率转换应用提供了坚实的物理基础。

该器件具备一系列突出的功能特点。其950V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，尤其适用于存在电压尖峰和浪涌的工业环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达17.5A，结合仅330毫欧（@9A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下极低的功率耗散。此外，最大40nC的栅极电荷（Qg）和优化的内部栅极电阻，共同促成了快速的开关瞬态，有助于减少开关损耗并提升系统工作频率。

在接口与关键参数方面，STW20N95K5采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，最大可承受±30V的电压，增强了驱动的鲁棒性。最大输入电容（Ciss）为1500pF，与低Qg特性协同，降低了对驱动电路的要求。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散能力为250W（Tc），展现了出色的热性能和可靠性。用户可通过官方ST代理获取完整的技术资料、样品及供货支持。

凭借高耐压、低导通电阻和快速开关的平衡特性，此芯片非常适合于对效率和可靠性有严苛要求的应用场景。它常被用作开关电源（SMPS）初级侧的主开关管，特别是在功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动、UPS不同断电源以及太阳能逆变器的DC-AC升压或全桥拓扑中。在这些场景中，其高电压能力能有效应对电网波动和感性负载关断产生的浪涌，而其低损耗特性直接提升了整机系统的能源转换效率。

• 型号:STW20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20N95K5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压、高功率应用，其核心优势在于高达950V的漏源电压（Vdss）与低至330毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这有效降低了高压开关应用中的传导损耗。

此外，该MOSFET具备17.5A的连续漏极电流能力和40nC的低栅极电荷（Qg），支持高效的开关操作与良好的热管理。其采用坚固的TO-247-3通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的高可靠性与稳定性，是开关电源、电机驱动和能源逆变系统的理想选择。