STW21N150K5

STW21N150K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性。这种设计使得器件在高压大电流工作条件下，能够有效管理功率耗散，提升整体能效。

该MOSFET具备1500V的高漏源击穿电压（Vdss），为高压应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值达14A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在典型工作点（7A，10V Vgs）下最大值为900毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为89nC @ 10V，结合±30V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它能够实现快速、高效的开关动作，并简化栅极驱动电路的设计，降低驱动损耗。

器件采用标准的TO-247通孔封装，便于安装和散热管理，其最大功率耗散能力高达446W（Tc）。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要高压开关和功率转换的系统，例如工业电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器，STW21N150K5提供了一个高性能的解决方案。其优异的参数组合使其特别适合用于硬开关和软开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路和LLC谐振转换器，有助于提升系统功率密度和效率。如需获取详细的技术支持或采购信息，可以联系ST中国代理。

• 型号:STW21N150K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3145 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW21N150K5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心特性包括高达1500V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为系统提供了坚固的电气性能基础。

得益于先进的MDmesh K5技术，它在保持高阻断电压的同时，实现了低至900毫欧（@7A，10V）的导通电阻和仅89nC的栅极电荷。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其在高达446W的功率耗散下仍能高效工作，非常适用于要求高效率和可靠性的工业电源、电机驱动及新能源转换系统。