STW21NM60ND

作为ST意法半导体FDmesh II产品系列中的一员，STW21NM60ND是一款采用先进平面工艺技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，通过精细的沟槽栅极和独特的源极金属化布局，实现了在高压条件下卓越的电荷平衡与电场分布。这种设计有效降低了导通电阻与栅极电荷之间的传统矛盾，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该器件在功能上展现出多项关键优势。高达600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力和电压尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为17A，结合低至220毫欧（典型值）的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低，从而提升了系统的整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，配合±25V的宽泛栅源电压（Vgs）范围，使得驱动电路的设计更为灵活，既能实现快速开关以减少开关损耗，又具备良好的抗干扰能力。

在接口与参数方面，STW21NM60ND采用经典的TO-247-3通孔封装，提供了优异的导热路径和机械强度，其最大功率耗散能力为140W（Tc）。高达150°C的结温（Tj）工作范围确保了其在恶劣热环境下的可靠性。其输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于简化缓冲电路设计并抑制高频振荡。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品，确保原装正品和完整的应用支持。

基于其高性能参数组合，该MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性有严苛要求的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等功率处理单元。在这些场景中，其低导通损耗和良好的开关特性直接转化为更高的系统效率、更小的散热器尺寸以及更紧凑的整体设计，是工程师实现高性能、高密度功率解决方案的理想选择。

• 型号:STW21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW21NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II系列。该器件采用TO-247-3封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至220毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为60nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在要求高效率和高功率密度的设计中表现出色。

结合高达150°C的结温工作范围和140W的功率耗散能力，STW21NM60ND为开关电源、电机驱动和工业逆变器等应用提供了可靠且高效的功率开关解决方案。