STW22N95K5

作为ST意法半导体SuperMESH5产品家族中的一员，STW22N95K5是一款专为高要求应用设计的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的垂直沟槽栅极架构，通过优化单元密度和沟道设计，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种核心架构的改进，使得器件在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和更高的效率，其950V的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了宽裕的安全工作裕度，尤其适用于存在电压尖峰和浪涌的严苛环境。

在功能特性上，这款MOSFET展现了卓越的性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在9A电流和10V栅极驱动下仅为330毫欧，这意味着在导通状态下产生的热量更少，有助于提升整体能效。同时，器件具有优化的栅极电荷特性，栅极总电荷（Qg）典型值仅为48nC，结合较低的输入电容，使得开关速度更快，开关损耗得以降低，这对于高频开关电源拓扑至关重要。此外，其栅极驱动电压范围宽，标准10V驱动即可获得优异的导通性能，最大栅源电压可承受±30V，增强了驱动的鲁棒性。

在接口与参数方面，STW22N95K5采用坚固的TO-247通孔封装，便于安装散热器，其在壳温（Tc）条件下的最大连续漏极电流（Id）可达17.5A，最大功耗为250W，确保了强大的功率处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，符合AEC-Q101标准，满足汽车级应用的可靠性要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高电压、低损耗和高可靠性的特点，该器件非常适合于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机以及电动汽车车载充电机（OBC）等领域的功率转换和开关应用。在这些场景中，它能够有效提升系统功率密度和效率，是工程师设计高效、紧凑型高压功率解决方案的理想选择。

• 型号:STW22N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW22N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive, SuperMESH5系列。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）与低至330毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中显著降低传导损耗。

其技术参数针对高效开关进行了优化，包括48nC的低栅极电荷（Qg）和17.5A的连续漏极电流（Id）能力，有助于实现更快的开关速度和更高的功率处理密度。采用TO-247封装，支持宽达-55°C至150°C的工作结温范围，使其成为要求高可靠性和高效率的工业及汽车功率电子系统的关键组件。