STW23N85K5

STW23N85K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在850V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低高频开关应用中的导通损耗和开关损耗至关重要。

该芯片的一个显著特点是其卓越的动态性能。在10V的驱动电压下，其最大导通电阻仅为275毫欧（在9.5A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在38nC（@10V），结合1650pF（@100V）的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路的设计并提升整体开关频率。其Vgs(th)阈值电压最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的安全工作裕度。

在电气参数方面，STW23N85K5在壳温（Tc）条件下可支持高达19A的连续漏极电流，最大功率耗散能力达到250W，结温（Tj）最高可工作于150°C，展现了强大的功率处理能力和高温下的可靠性。这些参数使其能够从容应对严苛的工作环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STW23N85K5非常适合于要求严苛的工业与消费类电源应用。典型应用场景包括功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、电机驱动逆变器以及电焊机和太阳能逆变器等中等功率的硬开关和软开关拓扑。其TO-247封装提供了优异的散热性能，便于通过散热器进行高效的热管理，确保系统长期稳定运行。

• 型号:STW23N85K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 19A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:275 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW23N85K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于先进的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为850V漏源电压（Vdss）和19A连续漏极电流（Tc），专为高效、高可靠性的功率开关应用设计。

其技术优势在于实现了优异的性能平衡：在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为275mΩ，同时栅极电荷（Qg）典型值较低。这一组合有效降低了导通与开关损耗，提升系统效率。器件支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为250W（Tc），确保了在工业级应用中的稳健性。