STW24N60M2

STW24N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

在功能特性方面，该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达18A，表明其具备强大的电流处理能力。更值得关注的是，在10V栅极驱动电压（Vgs）、9A漏极电流条件下，其导通电阻最大值仅为190毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在29nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，简化栅极驱动设计。

该器件采用坚固的TO-247通孔封装，便于安装散热器，其最大功率耗散能力为150W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定运行。栅极驱动电压范围宽至±25V，为设计提供了灵活性。对于需要高可靠性、高效率功率开关解决方案的设计师而言，通过正规的ST芯片代理渠道获取此型号，是保障供应链稳定和产品原装正品的关键。

基于其技术参数，STW24N60M2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、不间断电源（UPS）的逆变和整流模块、以及空调、洗衣机等家用电器中的电机驱动和压缩机控制电路。在这些应用中，其低导通电阻和良好的开关性能有助于提升系统能效等级，减少散热需求，从而优化整体系统尺寸与成本。

• 型号:STW24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与低至190毫欧（@9A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，在提供高耐压可靠性的同时，显著降低了导通损耗。

其18A（Tc）的连续漏极电流处理能力和29nC（@10V）的低栅极电荷（Qg），使其能够胜任高效率、高频率的开关操作。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及各类功率转换系统中追求高能效和可靠性的理想开关选择。