STW24NK55Z

STW24NK55Z是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在550V的高漏源电压（Vdss）等级下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色折衷。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片采用坚固的TO-247-3通孔封装，提供了优异的导热路径，确保在高达150°C的结温（TJ）下，器件仍能可靠地耗散高达285W的功率。

该MOSFET的关键电气特性使其在高压开关应用中表现出色。其导通电阻最大值仅为220毫欧（在11.5A，10V条件下），这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）典型值控制在130nC（在10V条件下），有助于简化驱动电路设计并减少开关过程中的动态损耗。高达23A（Tc）的连续漏极电流能力和±30V的最大栅源电压（Vgs）范围，为设计提供了充足的裕量和鲁棒性。尽管该产品目前已处于停产状态，但对于一些既有设计的维护或特定批次的采购，专业的ST芯片代理渠道可能仍能提供相关的库存或替代方案咨询。

在接口与参数层面，STW24NK55Z的标准驱动电压为10V，在此电压下可确保获得最低的导通电阻。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（在100A条件下），提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）等动态参数是设计栅极驱动电路时的重要依据，其最大值在25V Vds下为4397.5pF。这些参数共同定义了器件的开关速度和驱动需求，工程师需要结合具体的开关频率和驱动能力进行综合评估。

得益于其高耐压、低导通电阻和高功率处理能力，STW24NK55Z非常适用于要求严苛的离线式功率转换场合。典型的应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、高压DC-DC转换器、电机驱动控制器以及不同断电源（UPS）系统中的功率开关部分。在这些应用中，它能够高效地处理高电压和大电流，是实现系统高功率密度和高可靠性的关键元件之一。

• 型号:STW24NK55Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4397.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:285W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW24NK55Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为550V漏源电压（Vdss）和23A连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其技术优势在于通过优化的设计实现了低导通电阻（220mΩ @ 11.5A，10V）与适中栅极电荷（130nC @ 10V）的良好平衡，这有助于同时降低传导损耗和开关损耗，提升系统效率。高达285W的功率耗散能力和150°C的最大工作结温，确保了其在高压、高功率应用中的稳定性和可靠性。