STW25N80K5

STW25N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247通孔封装，专为高电压、大功率应用环境设计，在开关电源、电机驱动等系统中扮演核心开关角色。其内部架构通过优化的单元设计和工艺制程，在确保高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而提升了整体能效。

该芯片的核心优势在于其卓越的电气性能组合。它具备高达800V的漏源击穿电压（Vdss），为应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达19.5A，支持处理可观的功率等级。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至260毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为40nC，结合1600pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统开关频率并简化栅极驱动电路设计。

在接口与参数方面，STW25N80K5的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力，而栅源电压（Vgs）最大允许范围为±30V，为驱动电路设计提供了灵活性。其最大功率耗散能力为250W（Tc），结合TO-247封装优良的散热特性，使其能够稳定工作在-55°C至150°C的结温范围内。对于需要可靠供应链和全面技术支持的项目，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品原装正品和获取完整技术资料的重要途径。

基于上述特性，STW25N80K5非常适用于对效率和可靠性有严苛要求的工业级应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器主开关的理想选择，尤其适用于服务器电源、通信电源等高端设备。此外，在变频器、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动控制系统中，其高耐压和快速开关能力也能有效提升系统性能与功率密度。

• 型号:STW25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW25N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW25N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高电压环境，其核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和19.5A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为260毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值40nC）和输入电容（Ciss，最大值1600pF @ 100V）确保了快速的开关特性，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动及功率转换应用的可靠选择。